DRAD-Diamant-verkapseltes Strahlungs-Hartchip-Paket, generische Familienheldenaufnahme
◈   CVD-Diamantsubstrat · Graphen-FET · RISC-V · Strahlungshart · Asteroidengefertigt   ◈

DRAD

Diamond Radiation-Hard Advanced-Prozessorfamilie
DRAD-750
DRAD-1
DRAD-2
DRAD-HighFreq
DRAD-Power
DRAD-Extrem
DRAD-3
DRAD-Adaptiv

CVD-Diamantsubstrat. Graphen-FET-Array. RISC-V ISA. Hergestellt bei L4 aus von Asteroiden gewonnenem Kohlenstoff ohne Rohstoffkosten. Strahlungshart, wo Silizium innerhalb von Stunden versagt. Funktioniert in Umgebungen, in denen kein anderer Chip überlebt. Kernreaktoren. Tiefer Raum. Untergeschoss von Tschernobyl. Fusion-Antriebssteuerung. Die Prozessorfamilie, die das Sonnensystem betreibt.

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Das Substrat

Warum CVD-Diamant
und nichts anderes

Silizium versagt unter Strahlung, weil ionisierende Teilchen Elektron-Loch-Paare bilden die die CMOS-Gate-Oxide abbauen und Latchup verursachen. Die Physik des Siliziumversagens ist unvermeidbar – es ist eine Eigenschaft des Materials, nicht des Designs. Diamant hat eine Bandlücke von 5,5 eV. Die strahleninduzierte Ionisation kann diese Lücke bei keiner Dosisleistung schließen in terrestrischen oder Weltraumumgebungen vorkommen. Das Substrat ist physikalisch immun gegen den primären Mechanismus, der Silizium zerstört.

5,5 eV
BANDGAP – CVD-DIAMANT
Größte Bandlücke aller praktischen Halbleiter. Silizium: 1,1 eV. SiC: 3,3 eV. Diamant: 5,5 eV. Strahlung kann diese Lücke bei keiner erreichbaren Dosisleistung schließen.
2,000
W/m·K WÄRMELEITFÄHIGKEIT
5× besser als Kupfer. 13x besser als Silizium. Diamant leitet Wärme schneller ab als jedes andere Material. Der Chip kühlt dort ab, wo Silizium schmilzt.
>1 Mrad
TID-BEWERTUNG – DRAD-1-BASISLINIE
Gesamtionisierungsdosis. Silizium-CMOS versagt bei ~500 rad. MIL-SPEC-Silizium bei ~300 krad. DRAD-1 arbeitet oberhalb von 1 Mrad ohne Verschlechterung.
Null
ROHSTOFFKOSTEN
CVD-Diamant aus Kohlenstoff-Rohstoff in der L4-Fabrik 3 gezüchtet. Rohmaterial vom Asteroiden 2020 XL5 – 40–45 Millionen Tonnen Kohlenstoff. Zero-Earth-Einführungskosten für die Substratproduktion.
RISC-V
ANLEITUNGSSATZ-ARCHITEKTUR
Öffnen Sie ISA. Benutzerdefinierte Opcode-Erweiterungen für die deterministische Ausführung im Timing-Bereich. Alle Mitglieder der DRAD-Familie nutzen die gleiche ISA – Software, die für jede DRAD-Variante geschrieben wurde, läuft auf allen anderen ohne Modifikation.
L4
HERSTELLUNGSSTANDORT
Fabrik 3 Linie 3C (Substrat), Linie 3G (DRAD-750), Linie 3C/3A (DRAD-1). Fabrik 4 (DRAD-2 und höher). Alle Linien DRAD-1 gesteuert. Die Chipfabrik läuft mit dem Chip, den sie produziert.

Silizium im Untergeschoss von Tschernobyl (300 U/h Umgebungstemperatur): Standard-CMOS fällt in weniger als 2 Stunden aus. Mil-spec-Silizium versagt innerhalb weniger Tage. SiC ist marginal. Keine Siliziumvariante hat eine nachhaltige Sanierungsmaßnahme abgeschlossen im Untergeschoss von Reaktor 4. Jedes eingesetzte Robotersystem ist ausgefallen – nicht durch mechanische Schäden – durch Strahlung, die die Elektronik zerstört. DRAD-1 gilt in dieser Umgebung als unbegrenzt betriebsbereit. DRAD-Extreme wurde speziell dafür entwickelt. Der Unterkeller ist jetzt eine überlebensfähige Umgebung.

Die ganze Familie

Acht Mitglieder.
Eine Architektur.

Jedes Mitglied der DRAD-Familie verfügt über ein CVD-Diamantsubstrat, ein Graphen-FET-Array und und RISC-V ISA. Sie unterscheiden sich in Taktrate, Strahlungshärteklasse und Quantenmetrische Architekturebene. Alle werden bei L4 hergestellt. Alle werden ab dem 21. Monat FOB in die Erdumlaufbahn geliefert. Die Chippreise werden durch den Marktwert der Strahlungshärte bestimmt – kein Vergleich mit Verbrauchersilizium.

Die Gehäusegrößen der DRAD-Familie reichen vom kleinsten SMD-Gehäuse bis zum Leistungspaket der TO-220-Klasse
VOLUMENWERBUNG · FACTORY 3 LINE 3G
DRAD-750
Das Arbeitstier. Das Produkt, das Containerschiffe füllt.
DRAD-750-Chip, CVD-Diamantverkapselung, Gold-Pin-Array
UHR
750 MHz
TID-BEWERTUNG
>1 Mrad
SUBSTRAT
CVD-Diamant
ISA
RISC-V
VERFÜGBAR
Monat 14–15
FOB ERDE
Monat 21
750 MHz ist ein konservativer Betriebspunkt, der den Zuverlässigkeitsspielraum innerhalb der Strahlung maximiert Umgebung. Keine Materialbeschränkung – eine bewusste Designentscheidung für deterministische Einbettung Kontrollieren Sie Anwendungen, bei denen Vorhersagbarkeit wichtiger ist als pure Geschwindigkeit. Vollständig DRAD-1-Softwarekompatibel. Gemischte DRAD-750/DRAD-1-Flotten auf demselben Bus: unterstützt.
ANWENDUNGEN: Instrumentierung von Kernkraftwerken · GEO-Satelliten-Lagekontrolle · Industrielle Strahlungsumgebungen · Medizinische Beschleunigersteuerung · Fabrikautomatisierungsknoten · Integrierte Steuerung der Drohnenflotte
● PRODUKTIONSMONAT 14
SYSTEMINTEGRATOR · FABRIK 3 LINIE 3C/3A
DRAD-1
Leitet die Fabrik. Läuft die Drohnen. Führt das FPP-Laufwerk aus.
UHR
GHz-Bereich
TID-BEWERTUNG
>1 Mrad
SUBSTRAT
CVD-Diamant
ISA
RISC-V
VERFÜGBAR
Monat 14.5
FOB ERDE
Monat 21
Der primäre Speculāris-Systemchip. DRAD-1-Knoten betreiben jede Drohnenklasse, jede Fabrikproduktionslinie, jedes FPP-Antriebssteuerungssystem, jedes Kommunikations-Laser-Array und jeden Sensor im Netzwerk. Timing-Präzision im Subpikosekundenbereich – die gleiche Timing-Fähigkeit, die synchronisiert das 384-Port-Fusionszündungslaser-Array.
ANWENDUNGEN: FPP-1/FPP-2-Antriebssteuerung · C1–C8-Drohnenflotte · Steuerung der Produktionslinie Fabrik 3 · Laser-Com-Array-Timing · RFID-Asset-Verfolgung · Pro-Pel-Depotbetrieb · Drohnenflotte zur Tschernobyl-Sanierung
● PRODUKTIONSMONAT 14.5
QUANTENMETRISCH · FABRIK 4 · MONAT 18–24
DRAD-2
Terahertz. Quantenmetrisch entwickelt. 10× härter.
UHR
1,2+ THz
TID-BEWERTUNG
>10 Mrad
BOGEN
QG-FET
MOBILITÄT
+300 % gegenüber D1
VERFÜGBAR
Monat 18–24
SCHNITTSTELLE
SrTiO₃/LaAlO₃
Quantenmetrisch konstruierte Leitungskanäle. Perowskit-SrTiO₃/LaAlO₃-Heterostruktur Schnittstelle auf CVD-Diamant gewachsen. Elektronenbahnen geometrisch geschützt vor strahlungsinduzierte Streuung. Der Trägertransport verschiebt sich von streuungsbegrenzt zum geometrisch geschützten ballistischen Transport – ein anderes physikalisches Regime, keine schrittweise Verbesserung.
ANWENDUNGEN: L4–L5-Interferometer-Signalverarbeitung · FPP-2-Sub-Pikosekunden-Synchronisation · Weltraumkommunikation mit hoher Datenrate · Steuerung quantenmetrischer Forschungsinstrumente · Steuerung der Produktionslinie von Factory 4
◌ FABRIK 4 MONAT 18
TERAHERTZ-SPEZIALIST · DRAD-2-VARIANTE
DRAD-HF
Multi-THz-Sensoren und Weltraumkommunikation.
UHR
Multi-THz
TID-BEWERTUNG
>10 Mrad
BASIS
DRAD-2
DESIGN
Monat 28
DRAD-2-Designparameter für Terahertz-Frequenz-Transceiver-Betrieb gesperrt. Optimiert für Sensormatrizen in großen Höhen, L4–L5-Laserinterferometersignal Datenverarbeitung und Weltraumkommunikations-Transceiver, die in Multi-THz-Bändern arbeiten. Stabile Gate-Modulation ohne Engpässe bei der Wärmeableitung.
ANWENDUNGEN: L4-L5-Interferometer-Signalkette · Weltraum-Laserkommunikationsempfänger · THz-Sensorarrays · Front-End-Elektronik für wissenschaftliche Instrumente · Steuerung des Observatoriums der L5-Station
◌ FABRIK 4 MONAT 28
HOCHSTROM · DRAD-2-VARIANTE
DRAD-PWR
Treibt die FPP-Spulen an. Steuert den Massentreiber.
B-FELD
>15 Tesla
TID-BEWERTUNG
>10 Mrad
BASIS
DRAD-2
DESIGN
Monat 28
Dickschichtige, mit Bor dotierte Diamant-Trägerschichten für Hochstromschaltung und -steuerung in Magnetfeldumgebungen über 15 Tesla. Verwaltet den CNT-Statorspulenstrom in FPP-1- und FPP-2-Antriebsbaugruppen. Steuerung der elektromagnetischen Spule des Massentreibers. Hochstrom-Elektrodenschaltung ohne herkömmliche Halbleiterfehlermodi.
ANWENDUNGEN: FPP-1 / FPP-2-Einschlussspulentreiber · Massentreiberspulensteuerung der Schweizer Alpen · MHD-Induktionsleistungskonditionierung · Tesla-Turbine CNT-Spulenringantrieb · Industrielle Hochstromschaltung
◌ FABRIK 4 MONAT 28
ULTRA-RAD-HART · FABRIK 4 · JAHR 3–5
DRAD-X
Tschernobyl. Fukushima. Tiefer Raum. Unbestimmt.
TID-BEWERTUNG
>100 Mrad
UMWELT
Corium-Nähe
LEBENSLANGE
Operative INDEF
BASIS
DRAD-3-Bogen
Entwickelt für die anspruchsvollsten Strahlungsumgebungen, die existieren oder geplant sind. Untergeschoss des Tschernobyl-Reaktors 4 – 300 U/h Umgebungstemperatur. Primäre Eindämmung von Fukushima. Langfristige Weltraummissionen jenseits des Gürtels. Elektronik der Jupiter-Atmosphärensonde. Jede Umgebung, in der DRAD-1 die Basislinie ist, und selbst das reicht nicht aus. Der Unterkeller ist jetzt eine überlebensfähige Umgebung.
ANWENDUNGEN: Tschernobyl-Sanierungsflotte C1-R-Drohnenflotte · Fukushima-Eindämmungsüberwachung · Avionik der Jupiter-Mission · Weltraumsondenelektronik über 10 AE hinaus · FPP-2-Annäherungssensoren für primäre Einschlussfeldspulen
◌ FABRIK 4 JAHR 3
FORTGESCHRITTENE ARCHITEKTUR · FABRIK 4 · JAHR 3–5
DRAD-3
Multi-THz. 100× härter. Topologische supraleitende Tore.
UHR
Multi-THz
TID-BEWERTUNG
>100 Mrad
MOBILITÄT
+800 % gegenüber D1
TORE
Topologischer SC
Dritte Generation. Topologische und quantengeometrische Supraleitung an Diamantgrenzflächen. 3D-gestapelte quantenmetrische Heterostrukturen. Multi-THz-Betrieb bei 100 Mrad TID-Bewertung. Das Leistungsziel, das die langfristige Roadmap für die DRAD-Familie definiert. Trägermobilität +800 % gegenüber dem DRAD-1-Basiswert unter starkem Magnetfeld.
ANWENDUNGEN: Zukünftige FPP-3-Antriebssysteme · Fortschrittliche L4–L5-Signalverarbeitung · Quantencomputeranwendungen · Topologische Qubit-Integration · Kommerzielle Lizenzierung ab Jahr 5
◌ FABRIK 4 JAHR 3–5
SELBSTOPTIMIERUNG · PHASE 3 · JAHR 3–5
DRAD-A
Stimmt sich selbst ab. Echtzeit. Kein menschliches Eingreifen.
ARCHITEKTUR
Adaptives QM
SELBSTEINSTELLUNG
Echtzeit
FEEDBACK
Eingebetteter DRAD-1
TID
>100 Mrad
Ein eingebetteter DRAD-1-Supervisor passt die quantenmetrischen Parameter kontinuierlich an in Echtzeit basierend auf der gemessenen Strahlungsumgebung und den Betriebsbedingungen. Als Reaktion darauf konfiguriert der Chip seinen eigenen geometrischen Elektronenflugbahnschutz neu auf sich ändernde Strahlungsfelder und Temperaturen. Keine manuelle Neukalibrierung. Kein menschliches Eingreifen. Der Chip verfügt über einen eigenen Strahlungshärtungsalgorithmus.
ANWENDUNGEN: Langfristige Weltraummissionen mit variabler Strahlungsumgebung · FPP-Reaktorumgebungen mit wechselndem Strahlungsfluss · Missionen, die eine „Set-and-Forget“-Elektronik mit lebenslangen Garantien im Jahrzehntmaßstab erfordern
◌ FABRIK 4 JAHR 3–5
Familienvergleich

Seite an Seite

Chip Uhr TID-Bewertung Trägermobilität Architektur Produktion Hauptverwendung
DRAD-750
750 MHz >1 Mrad Grundlinie CVD-Diamant/Graphen-FET Monat 14 Volumen-Werbespot
DRAD-1
GHz >1 Mrad Grundlinie CVD-Diamant/Graphen-FET Monat 14.5 Systemintegrator
DRAD-2
1,2+ THz >10 Mrad +300% CVD-Diamant / QG-FET / SrTiO₃ Monat 18–24 Terahertz-Spezialist
DRAD-HF
Multi-THz >10 Mrad +300% DRAD-2-Variante – THz-optimiert Monat 28 Sensoren / Weltraumkommunikation
DRAD-PWR
THz >10 Mrad +300% DRAD-2-Variante – Dickschicht-Bordiamant Monat 28 FPP-Spulentreiber / Massentreiber
DRAD-X
THz >100 Mrad +400% DRAD-3-Bogen – Extreme Umgebung Jahr 3 Tschernobyl / Weltraum
DRAD-3
Multi-THz >100 Mrad +800% Topologische SC-Gates / 3D gestapelt Jahr 3–5 Fortschrittliche Systeme
DRAD-A
Multi-THz >100 Mrad Selbstoptimierung Adaptives QM – eingebetteter DRAD-1-Supervisor Jahr 3–5 Langfristig autonom
Die Physik – DRAD-2 und darüber hinaus

Das Quantum
Metrisch

Der quantenmetrische Tensor (gab) beschreibt den geometrischen Abstand zwischen Quantenzuständen im Hilbertraum an einer materiellen Grenzfläche. An Oxid-Heterostruktur-Grenzflächen – SrTiO₃/LaAlO₃ auf CVD-Diamant – Die Quantenmetrik kann so konstruiert werden, dass Elektronenbahnen vor Streuung geschützt werden. Ionisierende Strahlung, die die Trägermobilität auf Siliziumbasis zerstören würde, wird geometrisch irrelevant. Das Elektron streut nicht, weil seine Flugbahn durch die Geometrie des Gitters selbst geschützt ist – nicht durch Dotierungsprofile oder Abschirmmasse. Dies ist die Entdeckung von UNIGE/Salerno, die die DRAD-2-Architektur und darüber hinaus ermöglicht. Quantengeometrie wird zu einem bewussten technischen Parameter.

PHASE 0 · MONAT 14–18
Stiftung
Der Basislinien-DRAD-1- und Graphen-FET-Prozess ist stabil. DRAD-750-Produktion. Beginnen Sie mit der quantenmetrischen Charakterisierung von Diamantheterostrukturen. EBL-Systeme in Betrieb genommen.
PHASE 1 · MONAT 18–24
Integration
SrTiO₃/LaAlO₃ auf CVD-Diamant gewachsen. Defektdichte <10¹⁰ cm⁻². gab Tensor abgebildet über Magnetotransport. DRAD-2-Architektur eingefroren. Erster QG-FET: 1,2 THz bei Raumtemperatur.
PHASE 2 · MONAT 24–36
Optimierung
Einsatz von GeoSim-Bandstruktur-Designtools. DRAD-HF-, DRAD-Power- und DRAD-Extreme-Variantendesign eingefroren. Axiale Elektroden-Feedback-Sensoren integriert. Mehrstrahl-EBL im Produktionsmaßstab.
PHASE 3 · JAHR 3–5
Fortgeschrittene Architekturen
Topologische supraleitende Tore. 3D-gestapelte Heterostrukturen. DRAD-Adaptive selbstoptimierende Architektur. Vollständige FPP-2- und FPP-3-Integration. Kommerzielle IP-Lizenzierung an vertrauenswürdige Partner.
Herstellung

Hergestellt aus
Asteroiden

Die gesamte DRAD-Produktionskette – Substrat, Transistorschicht, Verbindungen, Verpackung – verwendet Kohlenstoffallotrope, die aus Asteroiden-Rohmaterial bei L4 hergestellt werden. Kein Silizium. Keine Seltenerdmetalle im Chip selbst. Null Erdstartkosten für die Produktion nach dem Saatschiff.

☄️
ASTEROID XL5
Kohlenstoffrohstoff · 40–45 Mio. Tonnen
→
💎
LINIE 3C CVD
Diamantsubstratwachstum · Methan-Vorläufer
→
⬡
LINIE 3A GRAPHENE
FET-Schichtabscheidung
→
⚡
EBL-LITHOGRAPHIE
DRAD-1 gesteuert · Maske pro Variante
→
📦
PAKET + TEST
CNT-Verbundpaket · Strahlungstest
→
🚀
FOB-ERDORBIT
Erste Lieferung im 21. Monat
Fabrik 3 – Linien 3A, 3C, 3G
Linie 3C: Optische CVD-Diamantelemente und Chipsubstrate. Linie 3A: Graphenabscheidung gemeinsam mit der Tesla-Ventilproduktion. Linie 3G: DRAD-750 für spezielle Lithographie und Metallisierung. Alle Linien in Betrieb, Ankunft im Monat 13–14.
Fabrik 4 – DRAD-2 und darüber hinaus
Spezielle Oxid-MBE/ALD-Wachstumskammer. Fortgeschrittenes Labor zur Charakterisierung des Magnetotransports. Mehrstrahl-EBL im Produktionsmaßstab ab Monat 34. GeoSim-Rechencluster. Quantenmetrischer Entwurfszyklus vollständig im Orbit.
GeoSim-Designtool
DRAD-1 beschleunigte Simulationssuite. Automatisierte quantenmetrische Tensoroptimierung über variable Gitterspannungen hinweg. Maximiert das Superfluidgewicht und die Trägergeschwindigkeit für Zielfrequenz und TID-Spezifikation. Bereitstellung im 25. Monat.
Null-G-Kristall- und Schalensynthese
CVD-Diamantlasermedium und Carbin-Pellethülsen erfordern für eine korrekte Synthese Null-G. Schwerkraftbedingte Konvektion beim terrestrischen Kristallwachstum erzeugt Nd³⁺-Dotierungsstreifen – physikalisch unvermeidbar auf der Erde. Die reine L4-Zero-G-Diffusion erreicht theoretisch maximale Gleichmäßigkeit. Die Produktionsanlage und die Testumgebung befinden sich physikalisch gesehen am selben Ort.
Marktanwendungen

Wer braucht
DRAD

⚛️
Atomkraft
Jedes Kernkraftwerk auf der Erde verfügt über Instrumentierungs- und Steuerungssysteme, die durch Neutronen- und Gammafluss beeinträchtigt werden. DRAD-750 und DRAD-1 sind in primären Eindämmungsumgebungen unbegrenzt einsetzbar. Direkter Ersatz für alle Silizium-basierten Reaktorleitsysteme.
🛰️
Kommerzielle Satelliten
Die Strahlungsdosis im geosynchronen Orbit akkumuliert sich im Laufe der Lebensdauer des Satelliten. Umlaufbahnen mit hoher Strahlung (MEO, Polar, Van-Allen-Gürtel-Durchgang) begrenzen derzeit die Missionsdauer. DRAD-1 und DRAD-750 heben die Einschränkung der Strahlungslebensdauer vollständig auf. Satellitenmissionen, die 15 Jahre dauerten, sind nun unbefristet.
🚀
JAXA / Deep Space
Avionik für H-3-Trägerraketen. Hayabusa-Nachfolgesondenelektronik. JAXA Mond- und Planetenmissionen. Teilnahmeberechtigt ist jede JAXA-Mission ab Monat 21.
⚡
Fusionsforschung
ITER, NIFS, QST, KSTAR und private Fusionsunternehmen. Plasmadiagnostik, Magnetspulensteuerung, Heizungssystemsteuerung. DRAD-Power-Variante, die speziell für Umgebungen mit >15 Tesla entwickelt wurde. Jedes Fusionsgerät auf der Erde profitiert von der DRAD-Steuerelektronik.
🏥
Medizinische Beschleuniger
Protonentherapie und Linearbeschleuniger erfordern strahlungsharte Steuerelektronik. DRAD-750 bietet zuverlässige Steuerelektronik in Umgebungen mit hoher Strahlenbelastung. Kein regelmäßiger Austausch aufgrund von Strahlenschäden. Niedrigere Gesamtbetriebskosten.
🛡️
Verteidigungselektronik
EMP-Härtung, Überlebensfähigkeit in nuklearer Umgebung, Immunität gegen EMP-Bursts in großer Höhe. Das CVD-Diamantsubstrat DRAD-1 ist von Natur aus EMP-beständig – Die gleiche große Bandlücke, die ionisierende Strahlung blockiert, blockiert EMP-induzierte Spannungsspitzen. Kommunikations- und Befehlselektronik, die nuklearen Umgebungen standhält.
🌋
Tschernobyl / Fukushima
Die einzigen Chips, die einen dauerhaften Betrieb im Untergeschoss von Reaktor 4 abschließen. DRAD-Extreme-Bewertung >100 Mrad TID – unbegrenzt betriebsbereit bei 300 U/h Umgebungstemperatur. Jedes bisherige Robotersanierungssystem versagte aufgrund der Strahlung. Mit DRAD ausgestattete Drohnen tun dies nicht.
🏭
Industrielle Automatisierung
Petrochemische Anlagen, Teilchenbeschleuniger, Materialbestrahlungsanlagen, Röntgeninspektionssysteme. Industrieumgebungen mit hoher Strahlung, die derzeit teure abgeschirmte Gehäuse für herkömmliche Elektronik erfordern. DRAD-750 macht die Abschirmungsanforderung überflüssig – der Chip läuft ohne sie.

Silizium hat
a Strahlungsproblem.
Diamond nicht.

Siebzig Jahre lang wurde jedes elektronische System in einer Strahlungsumgebung eingesetzt ist durch die gleiche grundlegende Einschränkung eingeschränkt: Silizium-CMOS versagt unter Dosis. Die Lösungen – Abschirmung, Redundanz, regelmäßiger Austausch – erhöhen die Masse, Fügen Sie Kosten hinzu und fügen Sie Fehlermodi hinzu. Sie lösen das Problem nicht. Sie schaffen es.

DRAD löst es. CVD-Diamantsubstrat, Graphen-FET-Schicht, RISC-V ISA, Hergestellt aus Asteroidenkohlenstoff bei L4 ohne Rohstoffkosten. Auslieferung FOB Erdumlaufbahn ab Monat 21. Der Chip, der das Sonnensystem betreibt ist auch der Chip, der jedes Siliziumgerät ersetzt in jeder Strahlungsumgebung auf der Erde.

Speculāris – Auf dem neuesten Stand.

FOB geliefert
Erdumlaufbahn.
Monat 21.

DRAD-750 und DRAD-1 sind ab dem 21. Monat nach L4-Werksankunft verfügbar. Alle Bestellungen unterliegen dem Lieferplan von Speculāris.