CVD-Diamantsubstrat. Graphen-FET-Array. RISC-V ISA. Hergestellt bei L4 aus von Asteroiden gewonnenem Kohlenstoff ohne Rohstoffkosten. Strahlungshart, wo Silizium innerhalb von Stunden versagt. Funktioniert in Umgebungen, in denen kein anderer Chip überlebt. Kernreaktoren. Tiefer Raum. Untergeschoss von Tschernobyl. Fusion-Antriebssteuerung. Die Prozessorfamilie, die das Sonnensystem betreibt.
Silizium versagt unter Strahlung, weil ionisierende Teilchen Elektron-Loch-Paare bilden die die CMOS-Gate-Oxide abbauen und Latchup verursachen. Die Physik des Siliziumversagens ist unvermeidbar – es ist eine Eigenschaft des Materials, nicht des Designs. Diamant hat eine Bandlücke von 5,5 eV. Die strahleninduzierte Ionisation kann diese Lücke bei keiner Dosisleistung schließen in terrestrischen oder Weltraumumgebungen vorkommen. Das Substrat ist physikalisch immun gegen den primären Mechanismus, der Silizium zerstört.
Silizium im Untergeschoss von Tschernobyl (300 U/h Umgebungstemperatur): Standard-CMOS fällt in weniger als 2 Stunden aus. Mil-spec-Silizium versagt innerhalb weniger Tage. SiC ist marginal. Keine Siliziumvariante hat eine nachhaltige Sanierungsmaßnahme abgeschlossen im Untergeschoss von Reaktor 4. Jedes eingesetzte Robotersystem ist ausgefallen – nicht durch mechanische Schäden – durch Strahlung, die die Elektronik zerstört. DRAD-1 gilt in dieser Umgebung als unbegrenzt betriebsbereit. DRAD-Extreme wurde speziell dafür entwickelt. Der Unterkeller ist jetzt eine überlebensfähige Umgebung.
Jedes Mitglied der DRAD-Familie verfügt über ein CVD-Diamantsubstrat, ein Graphen-FET-Array und und RISC-V ISA. Sie unterscheiden sich in Taktrate, Strahlungshärteklasse und Quantenmetrische Architekturebene. Alle werden bei L4 hergestellt. Alle werden ab dem 21. Monat FOB in die Erdumlaufbahn geliefert. Die Chippreise werden durch den Marktwert der Strahlungshärte bestimmt – kein Vergleich mit Verbrauchersilizium.
| Chip | Uhr | TID-Bewertung | Trägermobilität | Architektur | Produktion | Hauptverwendung |
|---|---|---|---|---|---|---|
DRAD-750 |
750 MHz | >1 Mrad | Grundlinie | CVD-Diamant/Graphen-FET | Monat 14 | Volumen-Werbespot |
DRAD-1 |
GHz | >1 Mrad | Grundlinie | CVD-Diamant/Graphen-FET | Monat 14.5 | Systemintegrator |
DRAD-2 |
1,2+ THz | >10 Mrad | +300% | CVD-Diamant / QG-FET / SrTiO₃ | Monat 18–24 | Terahertz-Spezialist |
DRAD-HF |
Multi-THz | >10 Mrad | +300% | DRAD-2-Variante – THz-optimiert | Monat 28 | Sensoren / Weltraumkommunikation |
DRAD-PWR |
THz | >10 Mrad | +300% | DRAD-2-Variante – Dickschicht-Bordiamant | Monat 28 | FPP-Spulentreiber / Massentreiber |
DRAD-X |
THz | >100 Mrad | +400% | DRAD-3-Bogen – Extreme Umgebung | Jahr 3 | Tschernobyl / Weltraum |
DRAD-3 |
Multi-THz | >100 Mrad | +800% | Topologische SC-Gates / 3D gestapelt | Jahr 3–5 | Fortschrittliche Systeme |
DRAD-A |
Multi-THz | >100 Mrad | Selbstoptimierung | Adaptives QM – eingebetteter DRAD-1-Supervisor | Jahr 3–5 | Langfristig autonom |
Der quantenmetrische Tensor (gab) beschreibt den geometrischen Abstand zwischen Quantenzuständen im Hilbertraum an einer materiellen Grenzfläche. An Oxid-Heterostruktur-Grenzflächen – SrTiO₃/LaAlO₃ auf CVD-Diamant – Die Quantenmetrik kann so konstruiert werden, dass Elektronenbahnen vor Streuung geschützt werden. Ionisierende Strahlung, die die Trägermobilität auf Siliziumbasis zerstören würde, wird geometrisch irrelevant. Das Elektron streut nicht, weil seine Flugbahn durch die Geometrie des Gitters selbst geschützt ist – nicht durch Dotierungsprofile oder Abschirmmasse. Dies ist die Entdeckung von UNIGE/Salerno, die die DRAD-2-Architektur und darüber hinaus ermöglicht. Quantengeometrie wird zu einem bewussten technischen Parameter.
Die gesamte DRAD-Produktionskette – Substrat, Transistorschicht, Verbindungen, Verpackung – verwendet Kohlenstoffallotrope, die aus Asteroiden-Rohmaterial bei L4 hergestellt werden. Kein Silizium. Keine Seltenerdmetalle im Chip selbst. Null Erdstartkosten für die Produktion nach dem Saatschiff.
Siebzig Jahre lang wurde jedes elektronische System in einer Strahlungsumgebung eingesetzt ist durch die gleiche grundlegende Einschränkung eingeschränkt: Silizium-CMOS versagt unter Dosis. Die Lösungen – Abschirmung, Redundanz, regelmäßiger Austausch – erhöhen die Masse, Fügen Sie Kosten hinzu und fügen Sie Fehlermodi hinzu. Sie lösen das Problem nicht. Sie schaffen es.
DRAD löst es. CVD-Diamantsubstrat, Graphen-FET-Schicht, RISC-V ISA, Hergestellt aus Asteroidenkohlenstoff bei L4 ohne Rohstoffkosten. Auslieferung FOB Erdumlaufbahn ab Monat 21. Der Chip, der das Sonnensystem betreibt ist auch der Chip, der jedes Siliziumgerät ersetzt in jeder Strahlungsumgebung auf der Erde.
Speculāris – Auf dem neuesten Stand.
DRAD-750 und DRAD-1 sind ab dem 21. Monat nach L4-Werksankunft verfügbar. Alle Bestellungen unterliegen dem Lieferplan von Speculāris.